Чипның үсеш тарихыннан чипның үсеш юнәлеше - югары тизлек, югары ешлык, аз энергия куллану. Чип җитештерү процессы, нигездә, чип дизайны, чип җитештерү, упаковка җитештерү, бәяне сынау һәм башка сылтамаларны үз эченә ала, алар арасында чип җитештерү процессы аеруча катлаулы. Чип җитештерү процессын карыйк, аеруча чип җитештерү процессын.
Беренчесе - чип дизайны, дизайн таләпләренә туры китереп, барлыкка килгән "үрнәк".
1, чип вафинының чималы
Вафинның составы кремний, кремний кварц комы белән эшкәртелә, вафин кремний элементы чистартыла (99,999%), аннары саф кремний кремний таякка ясала, ул интеграль схема җитештерү өчен кварц ярымүткәргеч материалга әйләнә. , кисәк - чип җитештерү ваферының конкрет ихтыяҗы. Вафер нечкә булса, җитештерү бәясе түбәнрәк, ләкин процесс таләпләре шулкадәр югары.
2. Вафер каплау
Вафер капламы оксидлашуга һәм температурага каршы тора ала, һәм материал - фоторезистлыкның бер төре.
3, витер литографиясен үстерү, эфирлау
Процесс UV нурына сизгер булган химик матдәләр куллана, аларны йомшарта. Чипның формасын күләгә торышын контрольдә тотып алырга мөмкин. Кремний ваферлары фоторесист белән капланган, алар ультрафиолет нурында эриләр. Монда беренче күләгә кулланыла ала, шулай итеп УВ нурының өлеше эреп бетә, аннары эретүче белән юыла ала. Димәк, аның калган өлеше күләгә белән бер үк, без теләгән әйбер. Бу безгә кирәкле кремний катламын бирә.
4 imp Пычраклык өстәргә
Ионнар тиешле P һәм N ярымүткәргечләр чыгару өчен ваферга урнаштырыла.
Процесс кремний вафатындагы ачык мәйданнан башлана һәм химик ион катнашмасына салына. Бу процесс допант зонаның электр үткәрү ысулын үзгәртәчәк, бу һәр транзисторга мәгълүматны кабызырга, сүндерергә яки алып барырга мөмкинлек бирәчәк. Гади чиплар бер катламны гына куллана ала, ләкин катлаулы чипларның еш кына күп катламнары бар, һәм процесс кат-кат кабатлана, төрле катламнар ачык тәрәзә белән тоташтырылган. Бу PCB тактасының җитештерү принцибына охшаган. Катлаулырак чиплар кремнийның берничә катламын таләп итә ала, бу кат-кат литография һәм югарыдагы процесс ярдәмендә, өч үлчәмле структура формалаштырырга мөмкин.
5.Вафер тест
Aboveгарыда күрсәтелгән берничә процесстан соң, вафин бөртек бөртеге ясады. Grainәр ашлыкның электр характеристикалары «энә үлчәү» ярдәмендә тикшерелде. Гадәттә, һәр чипның бөртекләре саны бик зур, һәм пин сынау режимын оештыру бик катлаулы процесс, бу җитештерү вакытында мөмкин кадәр бер үк чип спецификасы булган модельләрне массакүләм җитештерүне таләп итә. Тавыш күп булса, чагыштырма бәя түбәнрәк, бу төп чип җайланмаларының арзан булуының бер сәбәбе.
6. Энкапсуляция
Вафер җитештерелгәннән соң, пин тоташтырыла, таләпләр буенча төрле төрү төрләре җитештерелә. Бу бер үк чип үзәгенең төрле төрү формаларына ия булуының сәбәбе. Мәсәлән: DIP, QFP, PLCC, QFN һ.б. Бу, нигездә, кулланучыларның куллану гадәтләре, куллану мохите, базар формасы һәм башка периферик факторлар белән хәл ителә.
7. Тест һәм төрү
Aboveгарыдагы процесстан соң, чип җитештерү тәмамланды, бу адым - чипны сынау, җитешсез продуктларны бетерү һәм төрү.
Aboveгарыда әйтелгәннәр үзәк җитештерүне оештырган чип җитештерү процессының бәйләнешле эчтәлеге. Бу сезгә ярдәм итәр дип ышанам. Безнең компаниядә профессиональ инженерлар һәм тармак элитасы командасы бар, 3 стандарт лаборатория бар, лаборатория мәйданы 1800 квадрат метрдан артык, электрон компонентларны тикшерү, IC дөрес яки ялган идентификация, продукт дизайны материалларын сайлау, уңышсызлык анализы, функция тесты, заводка керә торган материалны тикшерү, тасма һәм башка сынау проектлары.
Пост вакыты: июнь-12-2023
