Гомумән алганда, ярымүткәргеч җайланмаларны эшкәртүдә, җитештерүдә һәм куллануда аз күләмдә уңышсызлыктан саклану кыен. Продукциянең сыйфат таләпләрен өзлексез камилләштерү белән, уңышсызлык анализы көннән-көн мөһимрәк булып китә. Аерым уңышсызлык чипларын анализлап, бу схема дизайнерларына җайланма дизайнының җитешсезлекләрен, процесс параметрларының туры килмәвен, периферик схеманың нигезсез дизайны яки проблема аркасында килеп чыккан эшсезлекне табарга булыша ала. Ярымүткәргеч җайланмаларны уңышсыз анализлау зарурлыгы, нигездә, түбәндәге аспектларда күрсәтелә:
(1) Уңышсызлык анализы - җайланма чипының уңышсызлык механизмын ачыклау өчен кирәкле чара.
2) Уңышсызлык анализы эффектив диагностика өчен кирәкле нигез һәм мәгълүмат бирә;
(3) Уңышсызлык анализы дизайн инженерлары өчен чип дизайнын өзлексез камилләштерү яки ремонтлау һәм дизайн спецификациясе нигезендә акыллырак итү өчен кирәкле кире кайту мәгълүматы бирә.
(4) Уңышсызлык анализы производство тесты өчен кирәкле өстәмә бирә һәм тикшерү процессын оптимальләштерү өчен кирәкле мәгълүмат нигезен бирә ала.
Ярымүткәргеч диодларны, аудиторияләрне яки интеграль схемаларны уңышсыз анализлау өчен, электр параметрлары башта сыналырга тиеш, һәм оптик микроскоп астында тышкы күренешне тикшергәннән соң, упаковка алынырга тиеш. Чип функциясенең бөтенлеген саклап торганда, эчке һәм тышкы корылмалар, бәйләү нокталары һәм чип өслеге мөмкин кадәр сакланырга тиеш, киләсе анализ адымына әзерләнү өчен.
Бу анализ ясау өчен электрон микроскопия һәм энергия спектрын сканерлау: микроскопик морфологияне күзәтү, уңышсызлык ноктасын эзләү, җитешсезлек ноктасын күзәтү һәм урнашу, җайланманың микроскопик геометрия күләмен төгәл үлчәү һәм потенциаль каплауның логик хөкеме. схема (көчәнеш контраст рәсем ысулы белән); Бу анализ ясау өчен энергия спектрометрын яки спектрометрны кулланыгыз: микроскопик элемент составы анализы, материаль төзелеш яки пычраткыч анализ.
11. Ярымүткәргеч җайланмаларның өслек җитешсезлекләре һәм янулары
Faceир өсте җитешсезлекләре һәм ярымүткәргеч җайланмаларның бетүе - икесе дә гадәти уңышсызлык режимы, 1 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, интеграль чылбырның чистартылган катламы.
2 нче рәсемдә интеграль схеманың металллаштырылган катламының өслек җитешсезлеге күрсәтелгән.
3 нче рәсемдә интеграль схеманың ике металл полосасы арасындагы өзелү каналы күрсәтелгән.
4 нче рәсемдә микродулкынлы җайланмадагы һава күперендәге металл полосаның җимерелүе һәм шома деформациясе күрсәтелгән.
5 нче рәсемдә микродулкынлы трубаның челтәр бетүе күрсәтелгән.
6 нчы рәсемдә интеграль электр металллаштырылган чыбыкка механик зыян күрсәтелгән.
7 нче рәсемдә меса диод чипының ачылуы һәм җитешсезлеге күрсәтелгән.
8 нче рәсемдә интеграль схема кертүдә саклагыч диодның өзелүе күрсәтелгән.
9 нчы рәсемдә күрсәтелгәнчә, интеграль челтәр чипының өслеге механик тәэсир аркасында бозылган.
10-нчы рәсемдә интеграль челтәр чипының өлешчә бетүе күрсәтелгән.
11 нче рәсемдә диод чипы ватылган һәм каты янган, ватылу нокталары эрү халәтенә әверелгән.
12 нче рәсемдә галий нитрид микродулкынлы электр трубасы чипы янган, һәм янган нокта эретелгән бөтерелү халәтен күрсәтә.
02. Электростатик өзелү
Ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдән, төрүдән, транспорттан кертү, эретеп ябыштыру, машина җыю һәм башка процесслар өчен схема тактасына кадәр статик электр куркынычы астында. Бу процесста транспорт еш хәрәкәтләнү һәм тышкы дөнья тудырган статик электрга җиңел тәэсир итү аркасында бозыла. Шуңа күрә, югалтуларны киметү өчен тапшыру һәм ташу вакытында электростатик саклауга аерым игътибар бирелергә тиеш.
Бер полярлы MOS трубасы һәм MOS интеграль схемасы булган ярымүткәргеч җайланмаларда статик электрга аеруча сизгер, аеруча MOS трубасы, үз керү каршылыгы бик югары, һәм капка чыганагы электрод сыйдырышлыгы бик кечкенә, шуңа күрә булу бик җиңел. тышкы электромагнит кыры яки электростатик индукция тәэсирендә һәм корылма, һәм электростатик буын аркасында зарядны вакытында җибәрү кыен, шуңа күрә статик электр туплануы җайланманың тиз арада өзелүенә китерә. Электростатик ватылу формасы, нигездә, электр энергиясе өзелү, ягъни челтәрнең нечкә оксид катламы җимерелә, челтәр белән чыганак арасындагы, яки челтәр белән дренаж арасындагы аерманы кыскарта торган тишек ясый.
MOS трубасына караганда MOS интеграль схема антистатик өзелү сәләте чагыштырмача яхшырак, чөнки MOS интеграль схеманың кертү терминалы саклагыч диод белән җиһазландырылган. Зур электростатик көчәнеш яки саклагыч диодларның күбесенә көчәнеш булганда, җиргә күчерелергә мөмкин, ләкин көчәнеш артык зур булса яки тиз арада көчәйтү токы зур булса, кайвакыт саклагыч диодлар үзләре, рәсемдә күрсәтелгәнчә. 8.
13 нче рәсемдә күрсәтелгән берничә рәсем - MOS интеграль схеманың электростатик өзелү топографиясе. Ватылу ноктасы кечкенә һәм тирән, эретелгән бөтерелү халәтен күрсәтә.
14 нче рәсемдә компьютер каты дискының магнит башының электростатик өзелү күренеше күрсәтелгән.
Пост вакыты: Июль-08-2023
